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STP6NM60N |
TO-220-3 | STMicroelectronics | 168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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STP6NM60N参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220 包装数量：50 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：600V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4.6A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：920 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：420pF @ 50V 功率 - 最大值：45W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 圆形MS3452W24-20P 单二极管/整流器MBRM120ET1G 芯片电阻 - 表面RG2012N-4641-B-T1 AC DC 转换器MP8-1E-1E-1J-1Q-1Q-4RC-00 接线座 - 接头，1693080000 压力P51-75-S-Y-I36-20MA-000-0 用于 IC 的插座100-022-050 铆钉SRVO-3555B 背板 - 专用MP2-S120G-51M1-C-LR 跳线，预压接线H3AAT-10106-W4-ND |
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